本文结合产品开发过程中遇到的铜相关不良现象进行研究,提出了有效的改善措施。结果表明,在第一次氮化硅刻蚀中的后灰化工序有高含量的氧气,会使过孔内部铜发生氧化而发黑。使用氢等离子体处理,可以将氧化铜还原成铜,在生产线光学设备测量时过孔反射出金属白色。在氧化铟锡刻蚀过程中,高温退火会造成裸露的铜发生严重氧化,需要去掉退火步骤或者更改设计来规避。在第二次氮化硅刻蚀步骤中,高含量的氧会氧化过孔处的铜,造成过孔连接异常,降低刻蚀步骤中氧气含量可以解决该不良。
基本信息
| 题目 | 阵列基板铜工艺不良研究(英文) |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 作者 | 吴祖谋,白金超,丁向前,刘明悬,李小龙,王勋,刘海鹏,宋勇志,陈维涛 |
| 作者单位 | 北京京东方显示技术有限公司 |
| 文献来源 | 液晶与显示 2021年04期 |
| 发表年份 | 2021 |
| 学科分类 | 基础科学,信息科技 |
| 专业分类 | 电信技术 |
| 分类号 | TN873 |
| 关键词 | 阵列工艺,铜腐蚀,铜氧化,黑孔不良,退火,垂直黑线不良 |
| 页码： | 560-565 |
| 总页数： | 6 |
| 文件大小： | 5598K |
论文目录
| 1 Introduction |
| 2 Array Process and Defects |
| 3 Results and Discussions |
| 3.1 Black Hole Defect |
| 3.2 GOA Hole Defect |
| 3.3 Vertical Line Mura |
| 4 Conclusion |
参考文献
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